RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2821
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link