RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3660
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link