RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2396
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link