RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1997
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link