RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
49
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
49
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2504
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link