RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2082
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link