RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
58
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
58
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2172
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A2400C10 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link