RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3435
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link