RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
66
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
66
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1699
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link