RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3351
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link