RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
719.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
64
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,039.5
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
719.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
240
2089
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link