RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
79
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
719.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
79
Prędkość odczytu, GB/s
3,039.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
719.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
240
1710
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link