RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3497
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link