RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2532
3392
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link