RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2190
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link