RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3583
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link