RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3583
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link