RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2154
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link