RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2154
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link