RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2672
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link