RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3567
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link