RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3033
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link