RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3650
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link