RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3650
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link