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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
no data
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3043
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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