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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
31
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
no data
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3043
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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