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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
no data
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3043
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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