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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
33
周辺 -6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
7.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
31
読み出し速度、GB/s
8.0
16.9
書き込み速度、GB/秒
7.3
12.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
no data
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1911
3043
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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