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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
8.0
16.9
写入速度,GB/s
7.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
no data
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1911
3043
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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