RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
42
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3033
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link