RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1925
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link