RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2989
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link