RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
47
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2989
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link