RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2011
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link