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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 39
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    テスト平均値
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB 考慮すべき理由
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2011

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メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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