RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3082
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link