RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2583
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link