RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3598
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link