RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3481
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link