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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
28
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
17
Velocità di lettura, GB/s
12.7
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3481
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-032.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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