RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
57
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
57
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2170
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link