RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2575
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link