RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3125
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link