RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3356
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link