RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3356
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link