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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3356
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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