RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3356
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link