RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
5.7
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
2361
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link