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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
31
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.0
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
9.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
2361
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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