Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Note globale
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 31
    Autour de 6% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.5 left arrow 9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.4 left arrow 5.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.0 left arrow 12.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.7 left arrow 9.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1274 left arrow 2361
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons