RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
37
Prędkość odczytu, GB/s
18.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3621
2389
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link